Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은
An ionbeam is a type of An ionbeam is a type of particle beam consisting of ions.
Ionbeams have many uses in electronics manufacturing (principally ion implantation) and other industries.
아르곤 이온은 위의 과정으로 생성 됩니다.
전자기 코일 또는 영구 자석으로부터 얻은 자기장은 종종 전자의 소용돌이를 만들기 위해 양극과 음극 사
beam
To Vacuum Pumps
vapor stream
substrate holder
Three Ingot Feeders
Four Independent
ion Sources
To Vacuum Pumps
electron gun
그림2. E-beam장치의 구조도
② Thermal Evaporator
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에
이루어진다. ingot의 양에 증착되는 film의 양을 control 할 수 있으며 열전자를 사용하기 때문에 융점이 높은 물질도 쉽게 증착 할 수 있는 장점이 있다.
electron beam
To Vacuum Pumps
vapor stream
substrate holder
Three Ingot Feeders
Four Independent
ion Sources
To Vacuum Pumps
electron gun
그림2. E-beam장치의 구조도
Ⅰ. 서론
치아를 상실하게 되면 ‘제3의 치아’인 임플란트 치아를 시술하여, 자연치를 대치하게 된다. 임플란트란 본론에서 자세하게 다루겠지만 간단하게 이야기하자면 인공적으로 만들어진 치아를 잇몸 뼈 속에 심는 것이다. 이 때 잇몸 뼈가 부족하면 골 이식을 통해 이를 대체하는데, 본 설계
나노복합재료연구실 ( Nano Composite Research Lab.)
1. Purpose of this study
■ Measurement of Young's modulus using sonic resonant test
■ Measurement of Young's modulus using beam bending test
2. Introduction
Young's modulus is one of the important materials properties that is related with the bonding force between atoms or ions in materials. That will give a cle
- 가장 보편화된 나노기술현재 인간이 가지고 있는 보편화된 기술 중 가장 미세한 구조물을 만들어내는 방법이 있다면 그것은 포토리소그래피일 것이다.포토리소그래피는 실제 전자집적회로> 제작에 사용되는 기술로써 그 원리는 다음과 같다.크롬층과 유리기판의 맨 위에 놓인 감광고분자 막 위에 레
[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O